مرور برچسب

فلیپ فلاپ لچ هیبریدی

دانلود مقاله مفاهیم زیرآستانه در مدارهای با فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى CMOS 65 نانومتری

دریافت مقاله ترجمه شده مفاهیم نوین زیرآستانه در تکنولوژی CMOS 65 نانومتری – مجله IEEE (آی تریپل ای) عنوان انگلیسی مقاله: New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology عنوان فارسی مقاله: مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری. دسته: مهندسی برق و الکترونیک و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات گرایش های مرتبط با این مقاله: الکترونیک، مخابرات میدان و برق مخابرات مجله: سمپوزیوم بین المللی طراحی الکترونیک کیفیت(International Symposium on Quality Electronic Design) دانشگاه:…